RF스퍼터링
페이지 정보
작성일 19-09-27 11:18
본문
Download : RF스퍼터링.hwp
주요 특 징으로는 기체를 여기시키는 에너지원으로 열을 이용하고 reaction 기체의 대부 분이 RF 가열을 이용한 Cold Wall Type 이 많다.
RF스퍼터링
RF스퍼터링
RF스퍼터링,재료,실험결과
RF스퍼터링 , RF스퍼터링재료실험결과 , RF스퍼터링
설명
목차
1. 實驗(실험)목적
2. 관련이론(理論)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD
② CVD 의의
③ CVD 기술의 특징
④ MOCVD
2) 비저항(Resistivity)측정(測定)
① 비저항(Resistivity)
② 4점 탐침기 (Four point probe)
3) 전기전도도
4) 두께 측정(測定)
① F10-RT-UV
5) 시약준비
3. 實驗(실험)시 사용한 재료
4. 實驗(실험)방법
5. 측정(測定) 값과 계산값
1)면저항
2)두께
3)비저항
4)전기전도도
6. 결론
1. 實驗(실험)목적
본 實驗(실험)의 목적은 CVD(Chemical Vapor Deposition)의 방법 중 하나인 MOCVD를 이용하여 ZnO을 유리기판에 증착시킨 후 Four point probe를 이용하여 박막의 면저항을 측정(測定) 하고, F10-RT-UV를 이용하여 박막의 두께 및 반사율을 측정(測定) 한 후 전기적 속성 , ...
목차
1. 實驗(실험)목적
2. 관련이론(理論)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD
② CVD 의의
③ CVD 기술의 특징
④ MOCVD
2) 비저항(Resistivity)측정(測定)
① 비저항(Resistivity)
② 4점 탐침기 (Four point probe)
3) 전기전도도
4) 두께 측정(測定)
① F10-RT-UV
5) 시약준비
3. 實驗(실험)시 사용한 재료
4. 實驗(실험)방법
5. 측정(測定) 값과 계산값
1)면저항
2)두께
3)비저항
4)전기전도도
6. 결론
1. 實驗(실험)목적
본 實驗(실험)의 목적은 CVD(Chemical Vapor Deposition)의 방법 중 하나인 MOCVD를 이용하여 ZnO을 유리기판에 증착시킨 후 Four point probe를 이용하여 박막의 면저항을 측정(測定) 하고, F10-RT-UV를 이용하여 박막의 두께 및 반사율을 측정(測定) 한 후 전기적 속성 , 광학적 속성 을 알아보기 위하여 이 實驗(실험)을 하였습니다. PECVD보다 Conf…(skip)
Download : RF스퍼터링.hwp( 14 )
실험결과/재료
순서
다. APCVD System 은 CVD 공정이 초기 형태이며 Silicon 산 화 막 증착에 사용되고있따 대부분의 APCVD 시스템에서는 Belt 구동 형태에 안착 된 Susceptor 위 에 Wafer가 수평으로 안착 되어 Wafer가 reaction 로 를 지나면서 박막이 형성되는 형 태이다.
2. 관련이론(理論)
1) CVD(Chemical Vapor Deposition)
① APCVD( Atmospheric pressure Chemical Vapor Deposition)
APCVD는 상압(대기압 760 Torr)상태에서 reaction 용기내에 단순한 열에너지에 의한 화학 reaction 을 이용하여 박막을 증착하는 방법이다.
